(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • B2M065120R

B2M065120R

Артикул: 0761434


Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт.

Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
50


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 3 5
Без НДС: 866.50 грн. 573.98 грн. 573.32 грн. 542.05 грн.
Корпус: TO263-7
Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current: 85А
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 60нC
Монтаж: SMD
Напряжение затвор-исток: -4...18В
Напряжение сток-исток: 1,2кВ
Полярность: полевой
Потери мощности: 150Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 65мОм
Технология: SiC
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 24А
Характеристики полупроводниковых элементов: вывод Кельвина
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 24А; Idm: 85А; 150Вт.

Теги: Пинцеты ESD, PIERGIACOMI, Пинцет, Концы губок: заостренные, Дл.пинцета: 110мм, ESD