(066) 705-70-05 (073) 705-70-05
info@smdua.in.ua (096) 705-70-05

  • B2M065120H

B2M065120H

Артикул: 0761232


Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт.

Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR



PDF
Кратность заказа позиции:
1
Минимальный заказ позиции:
1
Кол-во:
61


Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 2 5
Без НДС: 742.71 грн. 560.94 грн. 530.32 грн.
Корпус: TO247-3
Производитель: BASiC SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current: 85А
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 60нC
Монтаж: THT
Напряжение затвор-исток: -4...18В
Напряжение сток-исток: 1,2кВ
Полярность: полевой
Потери мощности: 250Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 65мОм
Технология: SiC
Тип канала: обогащенный
Тип транзистора: N-MOSFET
Ток стока: 33А
PDF:
PDF
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 33А; Idm: 85А; 250Вт.

Теги: Радиаторы - оснащение, FISCHER ELEKTRONIK, Прижимная пластина, TO218, TO220, TO247, TO248, TO3P