|
|
APTMC120AM08CD3AGАртикул: 435313 Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 190А; D3; винтами; Idm: 550А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | D3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 550А |
| Конструкция диода: | диод SiC/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Потери мощности: | 1,1кВт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 10мОм |
| Технология: | SiC |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 190А |
| Топология: | полумост MOSFET |
| Электрический монтаж: |
винтами; коннекторы FASTON; |
Модуль; диод SiC/транзистор; 1,2кВ; 190А; D3; винтами; Idm: 550А.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод SiC/транзистор, 1, 2кВ, 190А, D3, винтами, Idm: 550А