|
|
APTM100A13SGАртикул: 435207 Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 49А; SP6C; Ugs: ±30В; винтами; 1,25кВт. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 5 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SP6C |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 240А |
| Конструкция диода: | диод/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Потери мощности: | 1,25кВт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 156мОм |
| Технология: | POWER MOS 7® |
| Тип модуля: | полевой МОП-транзистор |
| Ток стока: | 49А |
| Топология: | полумост MOSFET + последовательные диоды + параллельные диоды |
| Электрический монтаж: |
винтами; коннекторы FASTON; |
Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 49А; SP6C; Ugs: ±30В; винтами; 1,25кВт.
Теги: Транзисторные модули MOSFET, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль, диод/транзистор, 1кВ, 49А, SP6C, Ugs: ±30В, винтами, 1, 25кВт