|
|
APTGT150A120GАртикул: 435061 Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 6 Минимальный заказ позиции: 6 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | SP6C |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Конструкция диода: | транзистор/транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±20В |
| Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
| Применение: | двигатели |
| Технология: |
Field Stop; Trench; |
| Тип модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 150А |
| Ток коллектора в импульсе: | 350А |
| Топология: | полумост IGBT |
| Электрический монтаж: |
винтами; коннекторы FASTON; |
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1,2кВ.
Теги: Модули IGBT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1, 2кВ