|
|
APT84F50B2Артикул: 434890 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 53А; Idm: 270А; 1135Вт. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247MAX |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 270А |
| Заряд затвора: | 340нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 500В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1135Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 65мОм |
| Технология: | POWER MOS 8® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 53А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 53А; Idm: 270А; 1135Вт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 53А, Idm: 270А, 1135Вт