|
|
APT6011B2VRGАртикул: 434750 Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 600В; 49А; Idm: 196А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247MAX |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 196А |
| Заряд затвора: | 450нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 625Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 110мОм |
| Технология: | POWER MOS 5® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 49А |
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 600В; 49А; Idm: 196А.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, POWER MOS 5®, полевой, 600В, 49А, Idm: 196А