|
|
APT38F80B2Артикул: 434582 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 26А; Idm: 150А; 1,04кВт. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 21 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | TO247MAX |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 150А |
| Заряд затвора: | 260нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1,04кВт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 240мОм |
| Технология: | POWER MOS 8® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 26А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 26А; Idm: 150А; 1,04кВт.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 26А, Idm: 150А, 1, 04кВт