|
|
APT35GP120JАртикул: 0434570 Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1 Срок поставки 20-30 дней |
||||||
|
|
||||||||||
| Корпус: | SOT227B |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Вид упаковки: | туба |
| Конструкция диода: | одиночный транзистор |
| Механический монтаж: | винтами |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±30В |
| Обратное напряжение макс.: | 1,2кВ |
| Технология: |
POWER MOS 7®; PT; |
| Тип полупроводникового модуля: | IGBT |
| Ток коллектора: | 29А |
| Ток коллектора в импульсе: | 140А |
| Электрический монтаж: | винтами |
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 29А; SOT227B.
|
VXV-55-101E Радиатор: штампованный; ребристый; SOT227; натуральный; L: 55мм. Производитель: OHMITE |
|
Кратность заказа позиции: 1120 Минимальный заказ позиции: 1120 |
Кол-во: 0 |
||||||||
|
|
||||||||||||
|
|
TGH-TP1 Плоский; SOT227; черный; L: 20мм; W: 37,5мм; H: 0,2мм. Производитель: OHMITE |
|
Кратность заказа позиции: 25 Минимальный заказ позиции: 25 |
Кол-во: 0 |
||||||||
|
|
||||||||||||
Теги: Радиаторы, OHMITE, Плоский, SOT227, черный, L: 20мм, W: 37, 5мм, H: 0, 2мм