|
|
APT35GP120B2DQ2GАртикул: 434568 Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; T-Max. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 26 Срок поставки 20-30 дней |
||||
|
|
||||||||
| Корпус: | T-Max |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Вид упаковки: | туба |
| Время включения: | 36нс |
| Время выключения: | 220нс |
| Заряд затвора: | 150нC |
| Конструкция диода: | IGBT + anti-parallel diode |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер: | ±30В |
| Напряжение коллектор-эмиттер: | 1,2кВ |
| Потери мощности: | 543Вт |
| Технология: |
POWER MOS 7®; PT; |
| Тип транзистора: | IGBT |
| Ток коллектора: | 46А |
| Ток коллектора в импульсе: | 140А |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | co-pack diode |
Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 46А; 543Вт; T-Max.
Теги: Транзисторы IGBT THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: IGBT, PT, 1, 2кВ, 46А, 543Вт, T-Max