|
|
APT34N80B2C3GАртикул: 434561 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 34А; Idm: 102А; 417Вт; TO247MAX. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247MAX |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 102А |
| Заряд затвора: | 355нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 417Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 145мОм |
| Технология: | CoolMOS™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 34А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 34А; Idm: 102А; 417Вт; TO247MAX.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 34А, Idm: 102А, 417Вт, TO247MAX