APT30N60BC6Артикул: 434545 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 89А; 219Вт; TO247-3. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 9 Срок поставки 20-30 дней |
|||||
|
|
||||||||
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 89А |
| Заряд затвора: | 88нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±20В |
| Напряжение сток-исток: | 600В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 219Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 125мОм |
| Технология: | CoolMOS™ |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 19А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 89А; 219Вт; TO247-3.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 19А, Idm: 89А, 219Вт, TO247-3

