APT28M120LАртикул: 434440 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 104А; 1135Вт; TO264. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
||
| Корпус: | TO264 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 104А |
| Заряд затвора: | 300нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 1135Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 530мОм |
| Технология: | POWER MOS 8® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 18А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 104А; 1135Вт; TO264.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1, 2кВ, 18А, Idm: 104А, 1135Вт, TO264

