APT18M80BАртикул: 434367 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 12А; Idm: 70А; 500Вт; TO247-3. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
||
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 70А |
| Заряд затвора: | 120нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 800В |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 500Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 530мОм |
| Технология: | POWER MOS 8® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 12А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 12А; Idm: 70А; 500Вт; TO247-3.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 12А, Idm: 70А, 500Вт, TO247-3

