|
|
APT1201R6BVFRGАртикул: 434296 Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 32А |
| Заряд затвора: | 230нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1,2кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 280Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 1,6Ом |
| Технология: | POWER MOS 5® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 8А |
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 8А; Idm: 32А.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, POWER MOS 5®, полевой, 1, 2кВ, 8А, Idm: 32А