APT10050LVRGАртикул: 434249 Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 21А; Idm: 84А. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 10 Срок поставки 20-30 дней |
|||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | TO264 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 84А |
| Заряд затвора: | 500нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 520Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 500мОм |
| Технология: | POWER MOS 5® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 21А |
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 21А; Idm: 84А.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, POWER MOS 5®, полевой, 1кВ, 21А, Idm: 84А

