|
|
APT1003RBLLGАртикул: 434236 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; TO247-3. Производитель: MICROCHIP TECHNOLOGY |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: | TO247-3 |
| Производитель: | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Pulsed drain current: | 16А |
| Заряд затвора: | 34нC |
| Монтаж: | THT |
| Напряжение затвор-исток: | ±30В |
| Напряжение сток-исток: | 1кВ |
| Полярность: | полевой |
| Потери мощности: | 139Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии: | 3Ом |
| Технология: | POWER MOS 7® |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: | N-MOSFET |
| Ток стока: | 4А |
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; TO247-3.
Теги: Транзисторы с каналом N THT, MICROCHIP TECHNOLOGY, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 4А, Idm: 16А, 139Вт, TO247-3