AOSD26313C Артикул: 434097 Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -30/30В; -4,4/5,4А; Idm: -23÷34А. Производитель: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 3	Кол-во: 2962 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 3 25 90 248 Без НДС: 21.18 грн. 12.85 грн. 9.86 грн. 9.29 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SO8
Производитель:	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current:	-23...34А
Заряд затвора:	33нC
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	-30/30В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	41мОм
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N/P-MOSFET
Ток стока:	-4,4/5,4А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -30/30В; -4,4/5,4А; Idm: -23÷34А.

Теги: Транзисторы многоканальные, ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, Транзистор: N/P-MOSFET, полевой, -30/30В, -4, 4/5, 4А, Idm: -23÷34А