ISO5852SDWАртикул: 463253 IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А. Производитель: TEXAS INSTRUMENTS |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 174 Срок поставки 20-30 дней |
|||||||||||
|
|
||||||||||||||
| Корпус: | SO16-W |
| Производитель: | TEXAS INSTRUMENTS |
| Вид упаковки: | туба |
| Время нарастания импульса: | 35нс |
| Время падения импульса: | 37нс |
| Входное напряжение: | 2,25...5,5В |
| Выходной ток: | -5...2,5А |
| Защита: | от снижения напряжения |
| Кол-во каналов: | 2 |
| Монтаж: | SMD |
| Напряжение изоляции: | 5,7кВ |
| Напряжение питания: | 15...30В DC |
| Рабочая температура: | -40...125°C |
| Тип микросхемы: | driver |
| Топология: |
полумост IGBT; полумост MOSFET; |
| Характер набора: |
high-/low-side; контроллер затвора; |
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А.
Теги: Драйверы MOSFET/IGBT, TEXAS INSTRUMENTS, IC: driver, полумост IGBT, полумост MOSFET, SO16-W, -5÷2, 5А

