2N7002ET1G Артикул: 423317 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,22А; Idm: 1,2А; 0,42Вт; SOT23. Производитель: ON SEMICONDUCTOR		Кратность заказа позиции: 25 Минимальный заказ позиции: 25	Кол-во: 6000 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 10 50 100 500 694 1500 1909 3000 Без НДС: 6.36 грн. 3.82 грн. 2.48 грн. 2.09 грн. 1.49 грн. 1.28 грн. 1.25 грн. 1.20 грн. 1.16 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	ON SEMICONDUCTOR
Pulsed drain current:	1,2А
Заряд затвора:	0,81нC
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,42Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	1,2Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,22А
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,22А; Idm: 1,2А; 0,42Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, ON SEMICONDUCTOR, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0, 22А, Idm: 1, 2А, 0, 42Вт, SOT23