2N7002A-7 Артикул: 423314 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23. Производитель: DIODES INCORPORATED		Кратность заказа позиции: 10 Минимальный заказ позиции: 10	Кол-во: 2620 Срок поставки 20-30 дней
Количество от: 1 5 50 100 373 1026 Без НДС: 8.69 грн. 6.08 грн. 4.13 грн. 3.71 грн. 2.16 грн. 2.04 грн.				В корзину

• Характеристики
• Описание

Корпус:	SOT23
Производитель:	DIODES INCORPORATED
Pulsed drain current:	0,8А
Вид упаковки:	бобина; лента;
Монтаж:	SMD
Напряжение затвор-исток:	±20В
Напряжение сток-исток:	60В
Полярность:	полевой
Потери мощности:	0,37Вт
Сопротивление в открытом состоянии:	5Ом
Тип канала:	обогащенный
Тип транзистора:	N-MOSFET
Ток стока:	0,14А
Характеристики полупроводниковых элементов:	ESD protected gate
PDF:

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,14А; Idm: 0,8А; 0,37Вт; SOT23.

Теги: Транзисторы с каналом N SMD, DIODES INCORPORATED, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0, 14А, Idm: 0, 8А, 0, 37Вт, SOT23