|
|
2N7002,215Артикул: 212585 Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190мА; 830мВт; SOT23. Производитель: NEXPERIA |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Корпус: |
M20; SOT23; |
| Производитель: |
5...9мм; NEXPERIA; |
| Вид упаковки: |
IP68; бобина; лента; термопласт; |
| Кол-во в упаковке: | 3000шт. |
| Монтаж: |
SMD; черный; |
| Мощность: |
0.83Вт; 830мВт; HARTING; |
| Напряжение затвор-исток: |
M20; ±30В; |
| Напряжение сток-исток: |
60В; кабельный ввод; |
| Полярность: |
HARTING; полевой; |
| Потери мощности: |
0.83Вт; 830мВт; |
| Сопротивление в открытом состоянии: |
9,25Ом; 9.25Ом; черный; |
| Тип канала: | обогащенный |
| Тип транзистора: |
africa_anniversary; N-MOSFET; |
| Ток стока: |
0,19А; 0.19А; 190мА; 6...12мм; |
| Характеристики полупроводниковых элементов: | ESD protected gate |
| PDF: |
|
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 190мА; 830мВт; SOT23.
Теги: NEXPERIA., Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 190мА, 830мВт, SOT23.