|
|
2-1571552-9Артикул: 008655 Панелька: DIP; PIN:28; 15,24мм; позолота; полиэфир; Øвыв:0,51мм; 3А Производитель: TE CONNECTIVITY |
 |
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 0 |
|
| Производитель: | TE Connectivity |
| #Common #name - #search: | DIP |
| Версия: | прецизионная |
| Диаметр выводов: |
0,51мм; 0.51мм; |
| Дополнительная информация: | больше товаров данной серии доступно на www.tme.eu |
| Кол-во выводов: | 28 |
| Максимальный ток: | 3А |
| Материал корпуса: | полиэфир |
| Покрытие контакта: |
gold flash; позолота; |
| Рабочая температура: |
-55...105°C; -55...125°C; |
| Расстояние между рядами: |
15,24мм; 15.24мм; |
| Сопротивление контакта макс.: | 10мОм |
| Тип панельки для микросхем: | DIP |
| Характеристики подставок: | цанговые контакты |
| Шаг выводов: |
2,54мм; 2.54мм; |
| Электрический монтаж: | THT |
| PDF: |
|
Панелька: DIP; PIN:28; 15,24мм; позолота; полиэфир; Øвыв:0,51мм; 3А
|
M48Z18-100PC1 Микросхема памяти; NV SRAM; 8Кx8бит; 4,5÷5,5В; 100нс; DIP28. Производитель: ST MICROELECTRONICS |
|
Кратность заказа позиции: 1 Минимальный заказ позиции: 1 |
Кол-во: 1 В наличии |
||||
|
|
||||||||
Теги: ST MICROELECTRONICS., Микросхема памяти, NV SRAM, 8Кx8бит, 4, 5÷5, 5В, 100нс, DIP28.