1N5407RLGАртикул: 421767 Диод: импульсный; THT; 800В; 3А; бобина,лента; Ifsm: 200А; DO27. Производитель: ON SEMICONDUCTOR |
|
Кратность заказа позиции: 5 Минимальный заказ позиции: 5 |
Кол-во: 899 Срок поставки 20-30 дней |
|||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
Корпус: | DO27 |
Производитель: | ON SEMICONDUCTOR |
Вид упаковки: |
бобина; лента; |
Импульсный ток: | 200А |
Конструкция диода: | одиночный диод |
Монтаж: | THT |
Обратное напряжение макс.: | 800В |
Падение напряжения макс.: | 1В |
Прямой ток: | 3А |
Тип диода: | импульсный |
Ток утечки: | 50мкА |
Диод: импульсный; THT; 800В; 3А; бобина,лента; Ifsm: 200А; DO27.
Теги: Универсальные диоды THT, ON SEMICONDUCTOR, Диод: импульсный, THT, 800В, 3А, бобина, лента, Ifsm: 200А, DO27